• I-fuse® Silicon-Proven

    on FinFET Tech

    Press ReleaseWebinar
  • I-fuse® OTP

    meet AEC-Q100 grade 0
    with zero failure return.

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  • Super Small and Scalable

    Innovated S3 architecture helps surpass all others

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  • I-fuse®

    Revolution
    non-Explosive
    Fix all problems in OTP

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I-fuse®

non-explosive OTP

上峰的 I-fuse® OTP 是單次可燒錄記憶體(One Time Programmable, OTP)矽智財,採用專利 I-fuse®技術,完全相容於標準邏輯製程,無須額外光罩或製程流程。

I-fuse® 為創新技術,和反熔絲(antifuse) OTP不同,無需內建電荷泵,且已通過0.7微米到 12奈米製程的可靠度驗證。

相較其他OTP解決方案,上峰的OTP能為客戶提供更大的競爭優勢,具有卓越的可靠度及性能,包括高度可測試性(testability) 、容錯設計(redundancy)、低操作電壓和低功耗。其小面積和優異的溫度耐受度,使客戶能在各種製程平台上靈活設計產品。

Achievement

Patent

90+ patents granted
USA 72+ /TWN 8 /CN 10 /UK 1
3+ fuse types 5+ variations

Technology

meet AEC-Q100 Grade 0+
Silicon Proven 12nm – 180nm
N12 qualified in Q1 2023

Cooperation

150+ customers embedded
10K shipped wafers
Zero failure return

專利

獲得超過90項專利認證
美 72+ /台 8 /中 10 /英 1
3+ 熔絲材質 5+ 特化熔絲

技術

符合車用電子AEC-Q100 Grade 0+認證標準
通過0.7微米到 12奈米製程矽驗證
於2023年Q2完成N12 製程驗證

合作

客戶遍布全球
超過150間企業指定合作夥伴
在全球頂尖晶圓廠穩定量產
且不良率至今仍保持0%

ISO:9001 Certificate

Your QMS is very well organized and controlled, and your ISO9001 certification is well earned.

Feedback from the first–tier North America customer after audit

目標市場

上峰科技的 I-fuse® OTP 提供客戶極大的設計彈性,符合車規驗證標準 AEC-Q100 Grade 0、具有高穩定度,是適用於車載電子、工業和醫療等多種應用晶片的最佳解決方案。

Use Case

High Reliability

HTS:300°C,4Khr 110nm
HTS: 250°C, 1Khr 22nm

Small Size

4Kbits0.031mm228nm
2Kbits0.045mm222nm

Low V PGM

2Kbits PGM 1.1V 22nm
2Kbits PGM 1.1V 40nm

Low Energy Read

512bits Read V: 1.5V–5.5V  130nm
1Kbits Read V: 0.81V–1.32V 55nm

High Reliability

HTS: 300°C, 4Khr 110nm
HTS: 250°C, 1Khr 22nm

Small Size

4Kbits 0.031mm2 28nm
2Kbits 0.045mm2 22nm
(PGM 1.1V w/ CP)

Low V PGM

2Kbits PGM 1.1V 12nm
2Kbits PGM 1.1V 22nm
2Kbits PGM 1.1V 40nm

Low Energy Read

256bits Read V: 1.5V
current: 3uA 180nm
1Kbits Read V: 0.81V–1.32V 55nm

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