上峰科技劃時代 I-fuse^® OTP IP通過FinFET製程矽驗證

台灣新竹，2023年4月25日

矽智財供應商上峰科技(Attopsemi)近日宣佈，其採用金屬熔絲(Metal Fuse)作為材料之I-fuse^®矽智財已成功在12奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程通過矽驗證，為客戶提供更完整的產品目錄。I-fuse^®在鰭式場效電晶體(FinFET)製程上亦無需外加光罩，延續其在成熟製程及高介電常數金屬閘極(High-k Metal Gate，HKMG)製程上的成本優勢。

上峰科技指出，此項IP不僅具備成本效益，也延續I-fuse^®技術的卓越優勢，包含高度可靠性、小面積(4K bits < 0.02 mm2)，以及無須內建電荷泵(Charge Pumps)即可支援優於業界的操作電壓區間(1.7V-2.5V)，使客戶得以更靈活地於各製程平台上進行產品設計。

上峰科技致力於研發電遷移(EM)燒錄機制，與傳統電子熔絲(eFuse)不同的是，I-fuse^®是在低於熔斷點(explosive point)的情況下進行燒錄，可大幅提高I-fuse^®的可靠性。隨著製程的推進，金屬的寬度及高度亦一同縮小，在先進製程上，上峰科技創新採用金屬互連線(Metal Interconnect)作為I-fuse^®的燒錄材料，並證實其燒錄電壓及電流能與摩爾定律一同微縮。此創新讓I-fuse^® OTP在先進製程上擁有高度競爭之規格，顛覆傳統OTP技術一直以來需要電荷泵的限制。

上峰科技董事長莊建祥表示：「我們致力於研發低功耗、高可靠性的產品，以協助客戶保持競爭優勢。對於I-fuse^®技術的發展，我們相當有信心，期待I-fuse^®能夠成為各應用場景中的最佳解決方案，協助客戶在市場競爭中脫穎而出。」

此次成功導入12奈米FinFET製程之I-fuse^® OTP IP在功耗、效能與可靠度方面都居於領先地位。上峰將持續擴大I-fuse^®矽智財在3奈米、5奈米、7奈米等先進製程的佈局，並預期此項技術將獲Wi-Fi裝置、物聯網、MCU等有低耗電、高度可靠性需求的客戶採用，以取得技術優勢並強化產品效能。